早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但3年过去了，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过在今年，有两个厂商并不安分，可能是希望以此来表明自己的实力，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，它们就是三星与英飞凌，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。

 

 2009年都是DDR3

    DDR3内存预计于2006年切入市场，半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%

    DDR3的市场导入时间预计为2006年下半，最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。

    由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：

    1、更高的外部数据传输率

    2、更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构

    3、在保证性能的同时将能耗进一步降低

    4、为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：

    8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz

    采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担

    采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

    下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。