| 参评产品:(以下产品按字母先后顺序排列,与品牌知名度及性能无关) |
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前言:自从2004年6月Intel发布915/925系列产品以来,DDR2内存就正式进入到广大消费者的视野。经过两年多的市场运作和国际DRAM芯片产能的增加,DDRII的价格已经进入到了成熟期,其实DDRII内存已经比DDR内存更为廉价。另外,AMD下半年全面转型至采用DDRII内存的AM2平台,如此一来业界两大巨头Intel与AMD全面支持DDR2的事实预示着DDR2一统江湖的日子已经不远。

2006年度DDR II 667参评产品
从上市初期的DDRII 533到现在主流的DDRII 667,内存频率也随着技术的提升与需求的加大而一路飙升。DDRII 667与DDRII 533的微差价令到DDRII 533开始逐渐要淡出市场。本年我们可以看到各内存厂商都全面吹起了DDRII的号角,各具特色的DDRII产品与铺天盖地的宣传令到消费者在选购DDRII内存时造成了一定的困惑。太平洋评测室本次大规模云集了几乎市面上所有品牌的DDRII 667产品,为大家送上精彩、权威的主流平台所选用的DDRII 667内存的年度测试报告!
DDR II技术回顾
DDRII内存能有如此之多的技术革新,归功于研究人员们多年的研究。其实早在1998年JEDEC(电子工程设计发展联合协会)就开始着手研究DDRII技术,2003年就通过了JEDEC规格标准化,不过大规模登录市场还是从去年开始,这是为什么呢?在Intel推出 915/925芯片组之前(如图1),DDRII与DDR400相比,除了在技术性能上更加优秀外,无论是实用性还是性价比都没有优势可言。在大多数FSB为800MHz的Intel Pentium 4处理器面前,双通道模式下的DDR400所提供的6.4GB/S的带宽就已经能满足要求,而DDR2上市之初的价格也无法与DDR相抗衡,所以无论从性能需求还是从性价比去考虑,DDR2在上市好一段时间内都是在低市场份额情况下徘徊。
DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子元件工业联合会)定义的全新一代内存技术规范标准。首先我们要知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴,也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,对应的DDR II模组命名则几乎是延续了DDR内存模组的:PC2-3200、PC2-4300和PC2-5300。工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准,完全不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准。
| Feature/Option |
DDR |
DDR2 |
DDR2相对技术优势
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| Package内存芯片封装 |
TSOP and FBGA |
FBGA |
FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array:细间距球栅阵列)封装提供了更好的电气性能与散热性 |
| Voltage电压 |
2.5V |
1.8V |
DDR2 SDRAM仅为1.8V的工作电压可以大幅降低内存的功耗,以及减少发热量 |
| Densities 内存芯片规格 |
64Mb–1Gb |
256Mb–4Gb |
更高的单条内存容量在需要大容量内存的平台上更具成本优势
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| memory subsystems Internal Banks |
4 |
4 and 8 |
1G或1G以上容量的内存将使用8 banks技术,提高内存性能 |
| Data Transfer Rate 运行频率 |
200 MHz 266 MHz 333 MHz 400 MHz |
400 MHz 533 MHz 667 MHz 800 MHz |
速度大幅度提高到800MHz以上 |
| 内存带宽 |
双通道DDR2667提供高达10.6GB/s的带宽 |
6.4GB/s (双通道DDR400) |
更高的内存性能 |
| Modules模组 |
184-pin DIMM
200-pin SODIMM
172-pin MicroDIMM
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240-pin DIMM
200-pin SODIMM
214-pin MicroDIMM
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改良的PCB线路与供电设计 |
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革命性的4bit预读取能力、ODT和Post CAS技术。
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| CAS Latency延迟时间 |
2 2.5 3 clocks |
CL+AL CL = 3 4 5clocks
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在一个前置CAS作业中,一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持,并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。简化了控制器设计,避免指令通道上的冲突。从而带来性能的提高 |
| 终结电阻ODT |
主板控制 |
DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计,内建终结电阻。 |
在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器,简化了主板设计,降低设计制造成本。 |
| Prefetch(预读取) |
2 |
4 |
在同一核心频率时,获得两倍DDR的带宽 |
作为DDR内存新一代技术革新的产物,DDR II具有4bit预读取能力、实现更高的运行频率与系统带宽,更低的功耗与发热量、更大容量的封装与全新的OCD、ODT和Post CAS技术。