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豪门盛宴:2006年DDR2主流内存横向评测
来源:太平洋电脑网 更新:Googpc.com 时间:2006-08-09 阅读:  编辑:Horstorm 推荐:加入收藏 访问论坛
 参评产品:(以下产品按字母先后顺序排列,与品牌知名度及性能无关)
ADATA 威刚
Apacer 宇瞻
BIAOXING 标星
Corsair 海盗船
GeeDom 晶芯
GEIL 金邦
G.SKILL 芝奇
Keyram 麒仑
Kingbox 黑金刚
KingMax 胜创
Kingston 金士顿
Kingtiger 金泰克
Kingxcon 金士刚
KUK 上风
Leadram 超胜
MakWay 迈威
Samsung 三星金条
Smart 世迈
Transcend 创见

  前言:自从2004年6月Intel发布915/925系列产品以来,DDR2内存就正式进入到广大消费者的视野。经过两年多的市场运作和国际DRAM芯片产能的增加,DDRII的价格已经进入到了成熟期,其实DDRII内存已经比DDR内存更为廉价。另外,AMD下半年全面转型至采用DDRII内存的AM2平台,如此一来业界两大巨头Intel与AMD全面支持DDR2的事实预示着DDR2一统江湖的日子已经不远。


2006年度DDR II 667参评产品

  从上市初期的DDRII 533到现在主流的DDRII 667,内存频率也随着技术的提升与需求的加大而一路飙升。DDRII 667与DDRII 533的微差价令到DDRII 533开始逐渐要淡出市场。本年我们可以看到各内存厂商都全面吹起了DDRII的号角,各具特色的DDRII产品与铺天盖地的宣传令到消费者在选购DDRII内存时造成了一定的困惑。太平洋评测室本次大规模云集了几乎市面上所有品牌的DDRII 667产品,为大家送上精彩、权威的主流平台所选用的DDRII 667内存的年度测试报告!

DDR II技术回顾

  DDRII内存能有如此之多的技术革新,归功于研究人员们多年的研究。其实早在1998年JEDEC(电子工程设计发展联合协会)就开始着手研究DDRII技术,2003年就通过了JEDEC规格标准化,不过大规模登录市场还是从去年开始,这是为什么呢?在Intel推出 915/925芯片组之前(如图1),DDRII与DDR400相比,除了在技术性能上更加优秀外,无论是实用性还是性价比都没有优势可言。在大多数FSB为800MHz的Intel Pentium 4处理器面前,双通道模式下的DDR400所提供的6.4GB/S的带宽就已经能满足要求,而DDR2上市之初的价格也无法与DDR相抗衡,所以无论从性能需求还是从性价比去考虑,DDR2在上市好一段时间内都是在低市场份额情况下徘徊。

  DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子元件工业联合会)定义的全新一代内存技术规范标准。首先我们要知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴,也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,对应的DDR II模组命名则几乎是延续了DDR内存模组的:PC2-3200、PC2-4300和PC2-5300。工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准,完全不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准。

Feature/Option DDR DDR2
DDR2相对技术优势
Package内存芯片封装 TSOP and FBGA FBGA FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array:细间距球栅阵列)封装提供了更好的电气性能与散热性
Voltage电压 2.5V 1.8V DDR2 SDRAM仅为1.8V的工作电压可以大幅降低内存的功耗,以及减少发热量
Densities 内存芯片规格 64Mb–1Gb 256Mb–4Gb

更高的单条内存容量在需要大容量内存的平台上更具成本优势

memory subsystems Internal Banks 4 4 and 8 1G或1G以上容量的内存将使用8
banks技术,提高内存性能
Data Transfer Rate 运行频率 200 MHz
266 MHz
333 MHz
400 MHz
400 MHz
533 MHz
667 MHz
800 MHz
速度大幅度提高到800MHz以上
内存带宽 双通道DDR2667提供高达10.6GB/s的带宽 6.4GB/s (双通道DDR400) 更高的内存性能
Modules模组

184-pin DIMM

200-pin SODIMM

172-pin MicroDIMM

240-pin DIMM

200-pin SODIMM

214-pin MicroDIMM

改良的PCB线路与供电设计
革命性的4bit预读取能力、ODT和Post CAS技术。
CAS Latency延迟时间 2 2.5 3 clocks CL+AL CL = 3 4 5clocks
在一个前置CAS作业中,一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持,并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。简化了控制器设计,避免指令通道上的冲突。从而带来性能的提高
终结电阻ODT 主板控制 DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计,内建终结电阻。 在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器,简化了主板设计,降低设计制造成本。
Prefetch(预读取) 2 4 在同一核心频率时,获得两倍DDR的带宽

  作为DDR内存新一代技术革新的产物,DDR II具有4bit预读取能力、实现更高的运行频率与系统带宽,更低的功耗与发热量、更大容量的封装与全新的OCD、ODT和Post CAS技术。

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